NTTFS3A08PZTAG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTTFS3A08PZTAG

NTTFS3A08PZTAG

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Número de parte	NTTFS3A08PZTAG
LIXINC Part #	NTTFS3A08PZTAG
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 20V 9A 8WDFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NTTFS3A08PZTAG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NTTFS3A08PZTAG Especificaciones

Número de parte:	NTTFS3A08PZTAG
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	9A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.5V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	6.7mOhm @ 12A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	56 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	5000 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	840mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-WDFN (3.3x3.3)
paquete / caja:	8-PowerWDFN