SSM3K318R,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3K318R,LF

SSM3K318R,LF

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Número de parte	SSM3K318R,LF
LIXINC Part #	SSM3K318R,LF
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SSM3K318R,LF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SSM3K318R,LF Especificaciones

Número de parte:	SSM3K318R,LF
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSIV
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2.5A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	107mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.8V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	7 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	235 pF @ 30 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-23F
paquete / caja:	SOT-23-3 Flat Leads