DMN10H170SFG-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

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Número de parte	DMN10H170SFG-13
LIXINC Part #	DMN10H170SFG-13
Fabricante	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	DMN10H170SFG-13 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

DMN10H170SFG-13 Especificaciones

Número de parte:	DMN10H170SFG-13
Marca:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	122mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	14.9 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	870.7 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	940mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PowerDI3333-8
paquete / caja:	8-PowerVDFN