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PMXB360ENEAZ

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Número de parte	PMXB360ENEAZ
LIXINC Part #	PMXB360ENEAZ
Fabricante	Nexperia
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	PMXB360ENEAZ Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

PMXB360ENEAZ Especificaciones

Número de parte:	PMXB360ENEAZ
Marca:	Nexperia
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Nexperia
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	80 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	1.1A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	450mOhm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.7V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	4.5 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	130 pF @ 40 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	DFN1010D-3
paquete / caja:	3-XDFN Exposed Pad