DMN2013UFDE-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	DMN2013UFDE-7
LIXINC Part #	DMN2013UFDE-7
Fabricante	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	DMN2013UFDE-7 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

DMN2013UFDE-7 Especificaciones

Número de parte:	DMN2013UFDE-7
Marca:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	10.5A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	1.5V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	11mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.1V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	25.8 nC @ 8 V
vgs (máx.):	±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2453 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	660mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	U-DFN2020-6 (Type E)
paquete / caja:	6-PowerUDFN