SQM120N02-1M3L_GE3

SQM120N02-1M3L_GE3
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Número de parte SQM120N02-1M3L_GE3
LIXINC Part # SQM120N02-1M3L_GE3
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría semiconductor discretotransistores - fets, mosfets - simples
Descripción MOSFET N-CH 20V 120A TO263
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD SQM120N02-1M3L_GE3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SQM120N02-1M3L_GE3 Especificaciones

Número de parte:SQM120N02-1M3L_GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:Vishay / Siliconix
serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:120A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:1.3mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:290 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:14500 pF @ 10 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:TO-263 (D²Pak)
paquete / caja:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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