RGT00TS65DGC11 | ROHM Semiconductor RGT00TS65DGC11 | RGT00TS65DGC11 Inventory, Best Pricing

RGT00TS65DGC11

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Número de parte	RGT00TS65DGC11
LIXINC Part #	RGT00TS65DGC11
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - simple
Descripción	650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RGT00TS65DGC11 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 29 - Oct 03 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RGT00TS65DGC11 Especificaciones

Número de parte:	RGT00TS65DGC11
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - simple
Fabricante:	ROHM Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	650 V
corriente - colector (ic) (max):	85 A
corriente - colector pulsado (icm):	150 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 50A
potencia - máx.:	277 W
energía de conmutación:	-
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	94 nC
td (encendido/apagado) @ 25°c:	42ns/137ns
condición de prueba:	400V, 50A, 10Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	54 ns
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-247-3
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247N

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