APT35GP120B2DQ2G | Roving Networks / Microchip Technology APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

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Número de parte	APT35GP120B2DQ2G
LIXINC Part #	APT35GP120B2DQ2G
Fabricante	Roving Networks / Microchip Technology
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - simple
Descripción	IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	APT35GP120B2DQ2G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

APT35GP120B2DQ2G Especificaciones

Número de parte:	APT35GP120B2DQ2G
Marca:	Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - simple
Fabricante:	Roving Networks / Microchip Technology
serie:	POWER MOS 7®
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo igbt:	PT
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	1200 V
corriente - colector (ic) (max):	96 A
corriente - colector pulsado (icm):	140 A
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	3.9V @ 15V, 35A
potencia - máx.:	543 W
energía de conmutación:	750µJ (on), 680µJ (off)
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	150 nC
td (encendido/apagado) @ 25°c:	16ns/95ns
condición de prueba:	600V, 35A, 4.3Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	-
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-247-3 Variant
paquete de dispositivos del proveedor:	-

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