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RJH60F6BDPQ-A0#T0

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Número de parte	RJH60F6BDPQ-A0#T0
LIXINC Part #	RJH60F6BDPQ-A0#T0
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	semiconductor discreto › transistores - igbts - simple
Descripción	IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RJH60F6BDPQ-A0#T0 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RJH60F6BDPQ-A0#T0 Especificaciones

Número de parte:	RJH60F6BDPQ-A0#T0
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - igbts - simple
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Last Time Buy
tipo igbt:	Trench
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	600 V
corriente - colector (ic) (max):	85 A
corriente - colector pulsado (icm):	-
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:	1.75V @ 15V, 45A
potencia - máx.:	297.6 W
energía de conmutación:	-
tipo de entrada:	Standard
carga de la puerta:	-
td (encendido/apagado) @ 25°c:	58ns/131ns
condición de prueba:	400V, 30A, 5Ohm, 15V
tiempo de recuperación inversa (trr):	25 ns
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-247-3
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247A

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