1N5417US | Roving Networks / Microchip Technology 1N5417US

1N5417US

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Número de parte	1N5417US
LIXINC Part #	1N5417US
Fabricante	Roving Networks / Microchip Technology
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	1N5417US Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

1N5417US Especificaciones

Número de parte:	1N5417US
Marca:	Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Roving Networks / Microchip Technology
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	200 V
corriente - media rectificada (io):	3A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.5 V @ 9 A
velocidad:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	150 ns
corriente - fuga inversa @ vr:	1 µA @ 200 V
capacitancia @ vr, f:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	E-MELF
paquete de dispositivos del proveedor:	D-5B
temperatura de funcionamiento - empalme:	-65°C ~ 175°C