1N4150W-HE3-08 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N4150W-HE3-08

1N4150W-HE3-08

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Número de parte	1N4150W-HE3-08
LIXINC Part #	1N4150W-HE3-08
Fabricante	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	1N4150W-HE3-08 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 21 - Oct 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

1N4150W-HE3-08 Especificaciones

Número de parte:	1N4150W-HE3-08
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	50 V
corriente - media rectificada (io):	200mA
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1 V @ 200 mA
velocidad:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
tiempo de recuperación inversa (trr):	4 ns
corriente - fuga inversa @ vr:	100 nA @ 50 V
capacitancia @ vr, f:	2.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SOD-123
paquete de dispositivos del proveedor:	SOD-123
temperatura de funcionamiento - empalme:	-55°C ~ 150°C