VS-10ETF12S-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-10ETF12S-M3

VS-10ETF12S-M3

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Número de parte	VS-10ETF12S-M3
LIXINC Part #	VS-10ETF12S-M3
Fabricante	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	VS-10ETF12S-M3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

VS-10ETF12S-M3 Especificaciones

Número de parte:	VS-10ETF12S-M3
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	1200 V
corriente - media rectificada (io):	10A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.33 V @ 10 A
velocidad:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	310 ns
corriente - fuga inversa @ vr:	100 µA @ 1200 V
capacitancia @ vr, f:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquete de dispositivos del proveedor:	D2PAK
temperatura de funcionamiento - empalme:	-40°C ~ 150°C