VS-1EFH01-M3/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-1EFH01-M3/I

VS-1EFH01-M3/I

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Número de parte	VS-1EFH01-M3/I
LIXINC Part #	VS-1EFH01-M3/I
Fabricante	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE GEN PURP 100V 1A SMF
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	VS-1EFH01-M3/I Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

VS-1EFH01-M3/I Especificaciones

Número de parte:	VS-1EFH01-M3/I
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	FRED Pt®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	100 V
corriente - media rectificada (io):	1A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	930 mV @ 1 A
velocidad:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	16 ns
corriente - fuga inversa @ vr:	2 µA @ 100 V
capacitancia @ vr, f:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	DO-219AB
paquete de dispositivos del proveedor:	DO-219AB (SMF)
temperatura de funcionamiento - empalme:	-65°C ~ 175°C

BAT750-TP	DIODE SCHOTTKY 40V 750MA SOT23	1785 Más sobre el pedido
UH1DHE3_A/I	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC	906 Más sobre el pedido
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VS-40HFLR60S05	DIODE GEN PURP 600V 40A DO203AB	832 Más sobre el pedido
ES2C-E3/52T	DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA	1254 Más sobre el pedido
NSB8KTHE3_A/P	DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB	984 Más sobre el pedido
CDBB2100LR-HF	DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA	860 Más sobre el pedido
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