JAN1N5622US | Roving Networks / Microchip Technology JAN1N5622US

JAN1N5622US

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Número de parte	JAN1N5622US
LIXINC Part #	JAN1N5622US
Fabricante	Roving Networks / Microchip Technology
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	JAN1N5622US Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

JAN1N5622US Especificaciones

Número de parte:	JAN1N5622US
Marca:	Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Roving Networks / Microchip Technology
serie:	Military, MIL-PRF-19500/427
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	1000 V
corriente - media rectificada (io):	1A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.3 V @ 3 A
velocidad:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	2 µs
corriente - fuga inversa @ vr:	500 nA @ 1000 V
capacitancia @ vr, f:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SQ-MELF, A
paquete de dispositivos del proveedor:	D-5A
temperatura de funcionamiento - empalme:	-65°C ~ 200°C

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