1N4448TAP | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N4448TAP

1N4448TAP

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Número de parte	1N4448TAP
LIXINC Part #	1N4448TAP
Fabricante	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	1N4448TAP Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

1N4448TAP Especificaciones

Número de parte:	1N4448TAP
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
paquete:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	75 V
corriente - media rectificada (io):	150mA
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	720 mV @ 5 mA
velocidad:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
tiempo de recuperación inversa (trr):	8 ns
corriente - fuga inversa @ vr:	5 µA @ 75 V
capacitancia @ vr, f:	4pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	DO-204AH, DO-35, Axial
paquete de dispositivos del proveedor:	DO-35
temperatura de funcionamiento - empalme:	175°C (Max)