1N6483HE3/97 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N6483HE3/97

1N6483HE3/97

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Número de parte	1N6483HE3/97
LIXINC Part #	1N6483HE3/97
Fabricante	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría	semiconductor discreto › diodos - rectificadores - simples
Descripción	DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	1N6483HE3/97 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

1N6483HE3/97 Especificaciones

Número de parte:	1N6483HE3/97
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - rectificadores - simples
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	SUPERECTIFIER®
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Standard
voltaje - dc inversa (vr) (max):	800 V
corriente - media rectificada (io):	1A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	1.1 V @ 1 A
velocidad:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr):	-
corriente - fuga inversa @ vr:	10 µA @ 800 V
capacitancia @ vr, f:	8pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	DO-213AB, MELF (Glass)
paquete de dispositivos del proveedor:	DO-213AB
temperatura de funcionamiento - empalme:	-65°C ~ 175°C