BLF8G27LS-140,112 | Ampleon BLF8G27LS-140,112 | BLF8G27LS-140,112 Inventory, Best Pricing

BLF8G27LS-140,112

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Número de parte	BLF8G27LS-140,112
LIXINC Part #	BLF8G27LS-140,112
Fabricante	Ampleon
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BLF8G27LS-140,112 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BLF8G27LS-140,112 Especificaciones

Número de parte:	BLF8G27LS-140,112
Marca:	Ampleon
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	Ampleon
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	LDMOS
frecuencia:	2.62GHz ~ 2.69GHz
ganar:	17.4dB
voltaje - prueba:	32 V
clasificación actual (amperios):	-
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	1.3 A
Salida de potencia:	45W
voltaje - nominal:	65 V
paquete / caja:	SOT-502B
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT502B

BLA9H0912LS-250GU	BLA9H0912LS-250G/SOT502/TRAY	1007 Más sobre el pedido
MRF8S9120NR3	SINGLE W-CDMA LATERAL N-CHANNEL	995 Más sobre el pedido
2SK3092-TL-E	NCH 15V DRIVE SERIES	49262 Más sobre el pedido
MRF7S21080HSR3	FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S	917 Más sobre el pedido
BLF8G10LS-270,112	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B	846 Más sobre el pedido
MRF7S21080HR3	FET RF 65V 2.17GHZ NI-780	870 Más sobre el pedido
J111RLRP	SMALL SIGNAL N-CHANNEL J-FET	127923 Más sobre el pedido
BF909R,215	N-CHANNEL POWER MOSFET	3864 Más sobre el pedido
MRF1535NT1	FET RF 40V 520MHZ TO272-6 WRAP	1470 Más sobre el pedido
MRFE6S9201HSR5	FET RF 66V 880MHZ NI-780S	917 Más sobre el pedido
BLF8G27LS-140,118	RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B	900 Más sobre el pedido
CG2H80060D-GP4	RF DISCRETE	1093 Más sobre el pedido
BLM9D0910-05AMZ	BLM9D0910-05AM/LGA7X7/REELDP	1797 Más sobre el pedido