BLF888AS,112

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Número de parte	BLF888AS,112
LIXINC Part #	BLF888AS,112
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	RF PFET, 2-ELEMENT, ULTRA HIGH F
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BLF888AS,112 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BLF888AS,112 Especificaciones

Número de parte:	BLF888AS,112
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	LDMOS (Dual), Common Source
frecuencia:	860MHz
ganar:	21dB
voltaje - prueba:	50 V
clasificación actual (amperios):	-
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	1.3 A
Salida de potencia:	250W
voltaje - nominal:	110 V
paquete / caja:	SOT539B
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT539B

BLF888AS,112 Documentos

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