A2G35S200-01SR3

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Número de parte	A2G35S200-01SR3
LIXINC Part #	A2G35S200-01SR3
Fabricante	NXP Semiconductors
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	A2G35S200-01SR3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

A2G35S200-01SR3 Especificaciones

Número de parte:	A2G35S200-01SR3
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	NXP Semiconductors
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	GaN HEMT
frecuencia:	3.4GHz ~ 3.6GHz
ganar:	16.1dB
voltaje - prueba:	48 V
clasificación actual (amperios):	-
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	291 mA
Salida de potencia:	180W
voltaje - nominal:	125 V
paquete / caja:	NI-400S-2S
paquete de dispositivos del proveedor:	NI-400S-2S

A2G35S200-01SR3 Documentos

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