BLP10H660PGY | Ampleon BLP10H660PGY | BLP10H660PGY Inventory, Best Pricing

BLP10H660PGY

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	BLP10H660PGY
LIXINC Part #	BLP10H660PGY
Fabricante	Ampleon
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BLP10H660PGY Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 23 - Oct 27 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BLP10H660PGY Especificaciones

Número de parte:	BLP10H660PGY
Marca:	Ampleon
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	Ampleon
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	LDMOS
frecuencia:	1GHz
ganar:	18dB
voltaje - prueba:	50 V
clasificación actual (amperios):	1.4µA
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	40 mA
Salida de potencia:	60W
voltaje - nominal:	110 V
paquete / caja:	SOT-1224-2
paquete de dispositivos del proveedor:	4-HSOPF

BLF0910H6LS500U	RF FET LDMOS 65V 14.8DB SOT12751	820 Más sobre el pedido
MRF6S23140HR3	RF S BAND, N-CHANNEL	1991 Más sobre el pedido
MRFE6S9135HR3	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	896 Más sobre el pedido
BLSC9G2731XS-200Z	BLSC9G2731XS-200/SOT1270/TRAYDP	906 Más sobre el pedido
MRFE6S9160HSR3	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	2405 Más sobre el pedido
BLS7G2729LS-350P,1	RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B	848 Más sobre el pedido
AFT05MS006NT1	FET RF 30V 520MHZ PLD	2445 Más sobre el pedido
MRF8S18120HSR3	RF L BAND, N-CHANNEL	1754 Más sobre el pedido
MW7IC2020NT1	RF MOSFET LDMOS 28V 24PQFN	1775 Más sobre el pedido
MRF136Y	FET RF 65V 400MHZ 319B-02	982 Más sobre el pedido
BLM9D2327-26BZ	BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP	1440 Más sobre el pedido
MRFE6S9135HR5	FET RF 66V 940MHZ NI-880	973 Más sobre el pedido
BLM7G1822S-80ABGY	RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12121	961 Más sobre el pedido