2SK880GRTE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SK880GRTE85LF

2SK880GRTE85LF

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Número de parte	2SK880GRTE85LF
LIXINC Part #	2SK880GRTE85LF
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - jfets
Descripción	JFET N-CH 50V 0.1W USM
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SK880GRTE85LF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SK880GRTE85LF Especificaciones

Número de parte:	2SK880GRTE85LF
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - jfets
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tensión - avería (v(br)gss):	50 V
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	-
corriente - drenaje (idss) @ vds (vgs=0):	2.6 mA @ 10 V
consumo de corriente (id) - máx.:	-
voltaje - corte (vgs off) @ id:	1.5 V @ 100 nA
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	13pF @ 10V
resistencia - rds (encendido):	-
potencia - máx.:	100 mW
Temperatura de funcionamiento:	125°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SC-70, SOT-323
paquete de dispositivos del proveedor:	SC-70

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