2SK3666-3-TB-E | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E

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Número de parte	2SK3666-3-TB-E
LIXINC Part #	2SK3666-3-TB-E
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - jfets
Descripción	JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SK3666-3-TB-E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SK3666-3-TB-E Especificaciones

Número de parte:	2SK3666-3-TB-E
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - jfets
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tensión - avería (v(br)gss):	-
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje (idss) @ vds (vgs=0):	1.2 mA @ 10 V
consumo de corriente (id) - máx.:	10 mA
voltaje - corte (vgs off) @ id:	180 mV @ 1 µA
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	4pF @ 10V
resistencia - rds (encendido):	200 Ohms
potencia - máx.:	200 mW
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
paquete de dispositivos del proveedor:	3-CP

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