SIZ200DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIZ200DT-T1-GE3 | SIZ200DT-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIZ200DT-T1-GE3

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Número de parte	SIZ200DT-T1-GE3
LIXINC Part #	SIZ200DT-T1-GE3
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET N-CH DUAL 30V
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SIZ200DT-T1-GE3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SIZ200DT-T1-GE3 Especificaciones

Número de parte:	SIZ200DT-T1-GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET® Gen IV
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
rds en (máx.) @ id, vgs:	5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	28nC @ 10V, 30nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
potencia - máx.:	4.3W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-PowerWDFN
paquete de dispositivos del proveedor:	8-PowerPair® (3.3x3.3)