IPG20N04S408AATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPG20N04S408AATMA1 | IPG20N04S408AATMA1 Inventory, Best Pricing

IPG20N04S408AATMA1

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Número de parte	IPG20N04S408AATMA1
LIXINC Part #	IPG20N04S408AATMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 2N-CH 8TDSON
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IPG20N04S408AATMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IPG20N04S408AATMA1 Especificaciones

Número de parte:	IPG20N04S408AATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	40V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	20A
rds en (máx.) @ id, vgs:	7.6mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 30µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	36nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2940pF @ 25V
potencia - máx.:	65W
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount, Wettable Flank
paquete / caja:	8-PowerVDFN
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TDSON-8-10