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IRFH4257DTRPBF

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Número de parte	IRFH4257DTRPBF
LIXINC Part #	IRFH4257DTRPBF
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	IRFH4257 - HEXFET POWER MOSFET
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRFH4257DTRPBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRFH4257DTRPBF Especificaciones

Número de parte:	IRFH4257DTRPBF
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	HEXFET®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	25V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	25A
rds en (máx.) @ id, vgs:	3.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.1V @ 35µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	15nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1321pF @ 13V
potencia - máx.:	25W, 28W
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-PowerVDFN
paquete de dispositivos del proveedor:	Dual PQFN (5x4)

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