RN1963FE(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1963FE(TE85L,F) | RN1963FE(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

RN1963FE(TE85L,F)

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Número de parte	RN1963FE(TE85L,F)
LIXINC Part #	RN1963FE(TE85L,F)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - arreglos, prepolarizados
Descripción	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RN1963FE(TE85L,F) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RN1963FE(TE85L,F) Especificaciones

Número de parte:	RN1963FE(TE85L,F)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - arreglos, prepolarizados
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
corriente - colector (ic) (max):	100mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	50V
resistencia - base (r1):	22kOhms
resistencia - base del emisor (r2):	22kOhms
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 10mA, 5V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
corriente - corte del colector (máx.):	100nA (ICBO)
frecuencia - transición:	250MHz
potencia - máx.:	100mW
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SOT-563, SOT-666
paquete de dispositivos del proveedor:	ES6

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