NSVMUN531335DW1T3G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NSVMUN531335DW1T3G | NSVMUN531335DW1T3G Inventory, Best Pricing

NSVMUN531335DW1T3G

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Número de parte	NSVMUN531335DW1T3G
LIXINC Part #	NSVMUN531335DW1T3G
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - arreglos, prepolarizados
Descripción	TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NSVMUN531335DW1T3G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NSVMUN531335DW1T3G Especificaciones

Número de parte:	NSVMUN531335DW1T3G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - arreglos, prepolarizados
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q101
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
corriente - colector (ic) (max):	100mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	50V
resistencia - base (r1):	47kOhms, 2.2kOhms
resistencia - base del emisor (r2):	47kOhms, 47kOhms
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 5mA, 10V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	250mV @ 300µA, 10mA
corriente - corte del colector (máx.):	500nA
frecuencia - transición:	-
potencia - máx.:	385mW
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquete de dispositivos del proveedor:	SC-88/SC70-6/SOT-363

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