RN2713JE(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN2713JE(TE85L,F) | RN2713JE(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

RN2713JE(TE85L,F)

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Número de parte	RN2713JE(TE85L,F)
LIXINC Part #	RN2713JE(TE85L,F)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - arreglos, prepolarizados
Descripción	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RN2713JE(TE85L,F) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RN2713JE(TE85L,F) Especificaciones

Número de parte:	RN2713JE(TE85L,F)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - arreglos, prepolarizados
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
corriente - colector (ic) (max):	100mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	50V
resistencia - base (r1):	47kOhms
resistencia - base del emisor (r2):	-
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	120 @ 1mA, 5V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
corriente - corte del colector (máx.):	100nA (ICBO)
frecuencia - transición:	200MHz
potencia - máx.:	100mW
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SOT-553
paquete de dispositivos del proveedor:	ESV

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