NUS5530MNR2G

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Número de parte	NUS5530MNR2G
LIXINC Part #	NUS5530MNR2G
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - propósito especial
Descripción	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NUS5530MNR2G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NUS5530MNR2G Especificaciones

Número de parte:	NUS5530MNR2G
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - propósito especial
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	NPN, P-Channel
aplicaciones:	General Purpose
voltaje - nominal:	35V PNP, 20V P-Channel
clasificación actual (amperios):	2A PNP, 3.9A P-Channel
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-VDFN Exposed Pad
paquete de dispositivos del proveedor:	8-DFN-EP (3.3x3.3)

NUS5530MNR2G Documentos

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