GBUE2560-M3/P | Vishay General Semiconductor – Diodes Division GBUE2560-M3/P

GBUE2560-M3/P

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Número de parte	GBUE2560-M3/P
LIXINC Part #	GBUE2560-M3/P
Fabricante	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoría	semiconductor discreto › diodos - puentes rectificadores
Descripción	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4.9A GBU
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	GBUE2560-M3/P Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

GBUE2560-M3/P Especificaciones

Número de parte:	GBUE2560-M3/P
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	diodos - puentes rectificadores
Fabricante:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de diodo:	Single Phase
tecnología:	Standard
voltaje - pico inverso (max):	600 V
corriente - media rectificada (io):	4.9 A
voltaje - adelante (vf) (max) @ si:	920 mV @ 12.5 A
corriente - fuga inversa @ vr:	10 µA @ 600 V
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	4-SIP, GBU
paquete de dispositivos del proveedor:	GBU

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