CAV24C512WE-GT3 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor CAV24C512WE-GT3

CAV24C512WE-GT3

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	CAV24C512WE-GT3
LIXINC Part #	CAV24C512WE-GT3
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CAV24C512WE-GT3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 19 - Oct 23 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CAV24C512WE-GT3 Especificaciones

Número de parte:	CAV24C512WE-GT3
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q100
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	EEPROM
tecnología:	EEPROM
tamaño de la memoria:	512Kb (64K x 8)
interfaz de memoria:	I²C
frecuencia de reloj:	1 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	5ms
tiempo de acceso:	900 ns
suministro de voltaje:	2.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SOIC