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DS1230AB-200IND

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Número de parte	DS1230AB-200IND
LIXINC Part #	DS1230AB-200IND
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	DS1230AB-200IND Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 18 - Oct 22 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

DS1230AB-200IND Especificaciones

Número de parte:	DS1230AB-200IND
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	NVSRAM
tecnología:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
tamaño de la memoria:	256Kb (32K x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	200ns
tiempo de acceso:	200 ns
suministro de voltaje:	4.75V ~ 5.25V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
paquete de dispositivos del proveedor:	28-EDIP