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71V124SA12YG

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Número de parte 71V124SA12YG
LIXINC Part # 71V124SA12YG
Fabricante Renesas Electronics America
Categoría circuitos integrados › memoria
Descripción IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD 71V124SA12YG Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 27 - Oct 31 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

71V124SA12YG Especificaciones

Número de parte:71V124SA12YG
Marca:Renesas Electronics America
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Renesas Electronics America
serie:-
paquete:Tube
estado de la pieza:Active
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:SRAM
tecnología:SRAM - Asynchronous
tamaño de la memoria:1Mb (128K x 8)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:12ns
tiempo de acceso:12 ns
suministro de voltaje:3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:32-SOJ

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