BR25G128FVT-3GE2

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Número de parte	BR25G128FVT-3GE2
LIXINC Part #	BR25G128FVT-3GE2
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC EEPROM 128KBIT SPI 8TSSOPB
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BR25G128FVT-3GE2 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BR25G128FVT-3GE2 Especificaciones

Número de parte:	BR25G128FVT-3GE2
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	ROHM Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	EEPROM
tecnología:	EEPROM
tamaño de la memoria:	128Kb (16K x 8)
interfaz de memoria:	SPI
frecuencia de reloj:	20 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	5ms
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	1.6V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	8-TSSOP-B

BR25G128FVT-3GE2 Documentos

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