CY7C1312KV18-300BZXI

CY7C1312KV18-300BZXI
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Número de parte CY7C1312KV18-300BZXI
LIXINC Part # CY7C1312KV18-300BZXI
Fabricante Cypress Semiconductor
Categoría circuitos integradosmemoria
Descripción IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD CY7C1312KV18-300BZXI Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 31 - Nov 04 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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CY7C1312KV18-300BZXI Especificaciones

Número de parte:CY7C1312KV18-300BZXI
Marca:Cypress Semiconductor
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Cypress Semiconductor
serie:-
paquete:TrayTray
estado de la pieza:Active
tipo de memoria:Volatile
formato de memoria:SRAM
tecnología:SRAM - Synchronous, QDR II
tamaño de la memoria:18Mb (1M x 18)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:300 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:-
tiempo de acceso:-
suministro de voltaje:1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:165-LBGA
paquete de dispositivos del proveedor:165-FBGA (13x15)

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