CY62147GN18-55BVXI | Cypress Semiconductor CY62147GN18-55BVXI | CY62147GN18-55BVXI Inventory, Best Pricing

CY62147GN18-55BVXI

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Número de parte	CY62147GN18-55BVXI
LIXINC Part #	CY62147GN18-55BVXI
Fabricante	Cypress Semiconductor
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CY62147GN18-55BVXI Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Nov 01 - Nov 05 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CY62147GN18-55BVXI Especificaciones

Número de parte:	CY62147GN18-55BVXI
Marca:	Cypress Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Cypress Semiconductor
serie:	MoBL®
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Asynchronous
tamaño de la memoria:	4Mb (256K x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	55ns
tiempo de acceso:	55 ns
suministro de voltaje:	1.65V ~ 2.2V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	48-VFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	48-VFBGA (6x8)