71256S35TDB

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Número de parte	71256S35TDB
LIXINC Part #	71256S35TDB
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	71256S35TDB Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

71256S35TDB Especificaciones

Número de parte:	71256S35TDB
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Asynchronous
tamaño de la memoria:	256Kb (32K x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	35ns
tiempo de acceso:	35 ns
suministro de voltaje:	4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	28-CDIP (0.300", 7.62mm)
paquete de dispositivos del proveedor:	28-CDIP

71256S35TDB Documentos

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