CYD18S18V18-200BBAXI | Rochester Electronics CYD18S18V18-200BBAXI | CYD18S18V18-200BBAXI Inventory, Best Pricing

CYD18S18V18-200BBAXI

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Número de parte	CYD18S18V18-200BBAXI
LIXINC Part #	CYD18S18V18-200BBAXI
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CYD18S18V18-200BBAXI Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CYD18S18V18-200BBAXI Especificaciones

Número de parte:	CYD18S18V18-200BBAXI
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Dual Port, Synchronous
tamaño de la memoria:	18Mb (1M x 18)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	200 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	3.3 ns
suministro de voltaje:	1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	256-LBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	256-FBGA (17x17)