CY7C1170KV18-450BZXC | Rochester Electronics CY7C1170KV18-450BZXC | CY7C1170KV18-450BZXC Inventory, Best Pricing

CY7C1170KV18-450BZXC

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Número de parte	CY7C1170KV18-450BZXC
LIXINC Part #	CY7C1170KV18-450BZXC
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CY7C1170KV18-450BZXC Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 18 - Oct 22 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CY7C1170KV18-450BZXC Especificaciones

Número de parte:	CY7C1170KV18-450BZXC
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Synchronous, DDR II+
tamaño de la memoria:	18Mb (512K x 36)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	450 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	165-LBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	165-FBGA (13x15)

93LC46B/SN	IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8SOIC	2372 Más sobre el pedido
AT25M01-SHM-B	IC EEPROM 1MBIT SPI 20MHZ 8SOIC	1021 Más sobre el pedido
MT58L256L18P1T-7.5	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100TQFP	8111 Más sobre el pedido
93C46/SM	1K BIT MICROWIRE SERIAL EEPROM	3220 Más sobre el pedido
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CY7C1461AV33-133AXC	IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP	1002 Más sobre el pedido
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CY62157DV30LL-55ZSXI	IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II	2519 Más sobre el pedido
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