IS43DR86400E-3DBLI | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS43DR86400E-3DBLI | IS43DR86400E-3DBLI Inventory, Best Pricing

IS43DR86400E-3DBLI

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Número de parte	IS43DR86400E-3DBLI
LIXINC Part #	IS43DR86400E-3DBLI
Fabricante	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IS43DR86400E-3DBLI Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IS43DR86400E-3DBLI Especificaciones

Número de parte:	IS43DR86400E-3DBLI
Marca:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM - DDR2
tamaño de la memoria:	512Mb (64M x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	333 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	15ns
tiempo de acceso:	450 ns
suministro de voltaje:	1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	60-TFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	60-TWBGA (8x10.5)

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