70V631S10BFG | Renesas Electronics America 70V631S10BFG | 70V631S10BFG Inventory, Best Pricing

70V631S10BFG

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Número de parte	70V631S10BFG
LIXINC Part #	70V631S10BFG
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 4.5MBIT PAR 208FPBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	70V631S10BFG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

70V631S10BFG Especificaciones

Número de parte:	70V631S10BFG
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Dual Port, Asynchronous
tamaño de la memoria:	4.5Mb (256K x 18)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	10ns
tiempo de acceso:	10 ns
suministro de voltaje:	3.15V ~ 3.45V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	208-LFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	208-FPBGA (15x15)

S25FL064LABMFM003	IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 16SOIC	805 Más sobre el pedido
CY14B101J2-SXI	IC NVSRAM 1MBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC	1044 Más sobre el pedido
R1LV5256ESA-7SI#S0	IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP	2976 Más sobre el pedido
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IS62WV25616BLL-55BLI-TR	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA	925 Más sobre el pedido
25LC256-E/SM	IC EEPROM 256KBIT SPI 8SOIJ	1179 Más sobre el pedido
AT25128B-XHL-T	IC EEPROM 128KBIT SPI 8TSSOP	813 Más sobre el pedido
S25FL256SAGMFV010	IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC	1150 Más sobre el pedido
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CY7C1011CV33-12ZSXE	STANDARD SRAM, 128KX16, 12NS PDS	5953 Más sobre el pedido
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AT25QL128A-UUE-T	IC FLSH 128MBIT SPI/QUAD 21WLCSP	878 Más sobre el pedido