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TC58NVG0S3HBAI4

TC58NVG0S3HBAI4
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Número de parte TC58NVG0S3HBAI4
LIXINC Part # TC58NVG0S3HBAI4
Fabricante Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Categoría circuitos integrados › memoria
Descripción IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD TC58NVG0S3HBAI4 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TC58NVG0S3HBAI4 Especificaciones

Número de parte:TC58NVG0S3HBAI4
Marca:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:circuitos integrados
Subcategoría:memoria
Fabricante:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
serie:-
paquete:Tray
estado de la pieza:Active
tipo de memoria:Non-Volatile
formato de memoria:FLASH
tecnología:FLASH - NAND (SLC)
tamaño de la memoria:1Gb (128M x 8)
interfaz de memoria:Parallel
frecuencia de reloj:-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:25ns
tiempo de acceso:25 ns
suministro de voltaje:2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:63-VFBGA
paquete de dispositivos del proveedor:63-TFBGA (9x11)

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