CY7C1012DV33-10BGXI | Rochester Electronics CY7C1012DV33-10BGXI | CY7C1012DV33-10BGXI Inventory, Best Pricing

CY7C1012DV33-10BGXI

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Número de parte	CY7C1012DV33-10BGXI
LIXINC Part #	CY7C1012DV33-10BGXI
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	STANDARD SRAM, 512KX24, 10NS PBG
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CY7C1012DV33-10BGXI Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CY7C1012DV33-10BGXI Especificaciones

Número de parte:	CY7C1012DV33-10BGXI
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Asynchronous
tamaño de la memoria:	12Mb (512K x 24)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	10ns
tiempo de acceso:	10 ns
suministro de voltaje:	3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	119-BGA
paquete de dispositivos del proveedor:	119-PBGA (14x22)

AS7C31026B-20JCN	IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ	837 Más sobre el pedido
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