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AS4C4M16SA-6TINTR

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Número de parte	AS4C4M16SA-6TINTR
LIXINC Part #	AS4C4M16SA-6TINTR
Fabricante	Alliance Memory, Inc.
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	AS4C4M16SA-6TINTR Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

AS4C4M16SA-6TINTR Especificaciones

Número de parte:	AS4C4M16SA-6TINTR
Marca:	Alliance Memory, Inc.
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Alliance Memory, Inc.
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	DRAM
tecnología:	SDRAM
tamaño de la memoria:	64Mb (4M x 16)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	166 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	2ns
tiempo de acceso:	5.4 ns
suministro de voltaje:	3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	54-TSOP II

CY7C1412BV18-250BZC	IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA	1183 Más sobre el pedido
BR93G76FVJ-3BGTE2	IC EEPROM 8K SPI 3MHZ 8TSSOP	3440 Más sobre el pedido
CY14V116N-BZ30XIT	IC NVSRAM 16MBIT PAR 165FBGA	885 Más sobre el pedido
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CAV25512VE-GT3	IC EEPROM 512KBIT SPI 8SOIC	18272 Más sobre el pedido
AS4C128M8D3-12BIN	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA	1036 Más sobre el pedido
IS43R16320E-5TLI	IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II	826 Más sobre el pedido
AT45DB321E-SHF2B-T	IC FLASH 32MBIT SPI 85MHZ 8SOIC	8806 Más sobre el pedido
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DS24B33S+T&R	IC EEPROM 4KBIT 1-WIRE 8SO	16285 Más sobre el pedido
S29JL032J70TFA020	IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP	840 Más sobre el pedido
11AA020-I/P	IC EEPROM 2KBIT SINGLE WIRE 8DIP	2782 Más sobre el pedido