CYD36S18V18-167BGXC | Rochester Electronics CYD36S18V18-167BGXC | CYD36S18V18-167BGXC Inventory, Best Pricing

CYD36S18V18-167BGXC

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Número de parte	CYD36S18V18-167BGXC
LIXINC Part #	CYD36S18V18-167BGXC
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484FBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CYD36S18V18-167BGXC Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 24 - Oct 28 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CYD36S18V18-167BGXC Especificaciones

Número de parte:	CYD36S18V18-167BGXC
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Dual Port, Synchronous
tamaño de la memoria:	36Mb (2M x 18)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	167 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	4 ns
suministro de voltaje:	1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	484-FBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	484-FBGA (23x23)

93C76CT-E/MS	IC EEPROM 8KBIT SPI 3MHZ 8MSOP	909 Más sobre el pedido
M95M01-DFCS6TP/K	IC EEPROM 1MBIT SPI 16MHZ 8WLCSP	4080 Más sobre el pedido
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24LC025-E/P	IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8DIP	881 Más sobre el pedido
AS7C31024B-10TCN	IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I	863 Más sobre el pedido
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W948D2FBJX6E TR	IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90VFBGA	850 Más sobre el pedido