71T75602S100BGG

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Número de parte	71T75602S100BGG
LIXINC Part #	71T75602S100BGG
Fabricante	Renesas Electronics America
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	71T75602S100BGG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 27 - Oct 31 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

71T75602S100BGG Especificaciones

Número de parte:	71T75602S100BGG
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Renesas Electronics America
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
tamaño de la memoria:	18Mb (512K x 36)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	100 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	5 ns
suministro de voltaje:	2.375V ~ 2.625V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	119-BGA
paquete de dispositivos del proveedor:	119-PBGA (14x22)

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