TC58BVG1S3HTAI0 | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	TC58BVG1S3HTAI0
LIXINC Part #	TC58BVG1S3HTAI0
Fabricante	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TC58BVG1S3HTAI0 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 21 - Oct 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TC58BVG1S3HTAI0 Especificaciones

Número de parte:	TC58BVG1S3HTAI0
Marca:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
serie:	Benand™
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	FLASH
tecnología:	FLASH - NAND (SLC)
tamaño de la memoria:	2Gb (256M x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	-
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	25ns
tiempo de acceso:	25 ns
suministro de voltaje:	2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	48-TSOP I

Consejos cálidos: por favor complete el formulario a continuación. Nos pondremos en contacto con usted tan pronto como sea posible.

Lixinc le ofrecerá los precios más competitivos, consulte las cotizaciones.

[email protected]

LIXINC

Enviar mensaje

Por favor, siéntase libre de contactarnos para más detalles.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015