CY7C1518KV18-250BZC

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Número de parte	CY7C1518KV18-250BZC
LIXINC Part #	CY7C1518KV18-250BZC
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	DDR SRAM, 4MX18, 0.45NS, CMOS, P
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CY7C1518KV18-250BZC Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 19 - Oct 23 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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CY7C1518KV18-250BZC Especificaciones

Número de parte:	CY7C1518KV18-250BZC
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Synchronous, DDR II
tamaño de la memoria:	72Mb (4M x 18)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	250 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento:	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	165-LBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	165-FBGA (13x15)

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