CY7C1425JV18-250BZI | Rochester Electronics CY7C1425JV18-250BZI | CY7C1425JV18-250BZI Inventory, Best Pricing

CY7C1425JV18-250BZI

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Número de parte	CY7C1425JV18-250BZI
LIXINC Part #	CY7C1425JV18-250BZI
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CY7C1425JV18-250BZI Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 18 - Oct 22 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CY7C1425JV18-250BZI Especificaciones

Número de parte:	CY7C1425JV18-250BZI
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de memoria:	Volatile
formato de memoria:	SRAM
tecnología:	SRAM - Synchronous, QDR II
tamaño de la memoria:	36Mb (4M x 9)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	250 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	-
suministro de voltaje:	1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	165-LBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	165-FBGA (15x17)

CAT28LV64H13I-15	IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28TSOP	2329 Más sobre el pedido
93AA46AE48T-I/SN	IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8SOIC	981 Más sobre el pedido
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SST25VF040B-50-4C-ZAE	IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8CSP	892 Más sobre el pedido
CY62137FV18LL-55BVXIT	IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48VFBGA	882 Más sobre el pedido
MT25QL512ABB8ESF-0SIT	IC FLASH 512MBIT SPI 133MHZ 16SO	911 Más sobre el pedido
CY27C256A-70WC	UVPROM, 32KX8, 70NS	812 Más sobre el pedido
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