S26KS512SDABHM030 | Cypress Semiconductor S26KS512SDABHM030 | S26KS512SDABHM030 Inventory, Best Pricing

S26KS512SDABHM030

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Número de parte	S26KS512SDABHM030
LIXINC Part #	S26KS512SDABHM030
Fabricante	Cypress Semiconductor
Categoría	circuitos integrados › memoria
Descripción	IC FLASH 512MBIT PARALLEL 24FBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	S26KS512SDABHM030 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 21 - Oct 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

S26KS512SDABHM030 Especificaciones

Número de parte:	S26KS512SDABHM030
Marca:	Cypress Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	circuitos integrados
Subcategoría:	memoria
Fabricante:	Cypress Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de memoria:	Non-Volatile
formato de memoria:	FLASH
tecnología:	FLASH - NOR
tamaño de la memoria:	512Mb (64M x 8)
interfaz de memoria:	Parallel
frecuencia de reloj:	100 MHz
tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:	-
tiempo de acceso:	96 ns
suministro de voltaje:	1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	24-VBGA
paquete de dispositivos del proveedor:	24-FBGA (6x8)